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STP12N60M2

STP12N60M2

STP12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

STP12N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STP12N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.86000 $1.86
50 $1.49880 $74.94
100 $1.34890 $134.89
500 $1.04912 $524.56
1,000 $0.86928 -
2,500 $0.80932 -
5,000 $0.77935 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 538 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RSJ400N06FRATL
IXFP12N50P
IXFP12N50P
$0 $/Stück
STW12NK80Z
STW12NK80Z
$0 $/Stück
PHT4NQ10T,135
RM50N60IP
RM50N60IP
$0 $/Stück
DMN53D0LW-13

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