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STP18N60M6

STP18N60M6

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

SOT-23

STP18N60M6 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP18N60M6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.45478 $1.45478
500 $1.4402322 $720.1161
1000 $1.4256844 $1425.6844
1500 $1.4111366 $2116.7049
2000 $1.3965888 $2793.1776
2500 $1.382041 $3455.1025
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RSQ015P10HZGTR
RM2306E
RM2306E
$0 $/Stück
FQB7N60TM
FQB7N60TM
$0 $/Stück
IXFH120N30X3
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$0 $/Stück
FQPF7N60
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$0 $/Stück
DMNH4011SK3Q-13
SQ3419EV-T1_GE3
DMTH41M8SPSQ-13
STP14NK50ZFP
NTMFS4707NT1G
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$0 $/Stück

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