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SQ3419EV-T1_GE3

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SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP

SOT-23

nicht konform

SQ3419EV-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25992 -
6,000 $0.24408 -
15,000 $0.22824 -
30,000 $0.21715 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 990 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

DMTH41M8SPSQ-13
STP14NK50ZFP
NTMFS4707NT1G
NTMFS4707NT1G
$0 $/Stück
IXFH90N65X3
IXFH90N65X3
$0 $/Stück
DMN2050L-7
RTF025N03TL
R6030MNX
R6030MNX
$0 $/Stück
NTHL065N65S3F
NTHL065N65S3F
$0 $/Stück
BUK9675-55A,118
RAL035P01TCR

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