Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 33mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 5.2V @ 4mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 95 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 6080 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 960W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXFH) |
Paket / Koffer | TO-247-3 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.