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R6030MNX

R6030MNX

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MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

SOT-23

R6030MNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6030MNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.47000 $6.47
10 $5.84800 $58.48
100 $4.84160 $484.16
500 $4.21600 $2108
1,000 $3.80800 -
369 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTHL065N65S3F
NTHL065N65S3F
$0 $/Stück
BUK9675-55A,118
RAL035P01TCR
2N7002KQBZ
2N7002KQBZ
$0 $/Stück
FQI2P25TU
PSMN3R3-60PLQ
IRFD123PBF
IRFD123PBF
$0 $/Stück
ATP304-TL-H
ATP304-TL-H
$0 $/Stück
PMZ130UNEYL
PMZ130UNEYL
$0 $/Stück

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