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STP200N3LL

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MOSFET N-CH 30V 120A TO220

SOT-23

STP200N3LL Technisches Datenblatt

nicht konform

STP200N3LL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.59290 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 176.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

HUFA75343P3
RM2301E
RM2301E
$0 $/Stück
APT20M18B2VFRG
SQJ476EP-T1_GE3
IXTA6N50D2-TRL
IXTA6N50D2-TRL
$0 $/Stück
STW75NF30AG
NTTFS5C466NLTAG
NTTFS5C466NLTAG
$0 $/Stück
DMP2109UVT-7
IPB052N04NG

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