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STP33N60DM2

STP33N60DM2

STP33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220

STP33N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STP33N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.60000 $4.6
50 $3.74440 $187.22
100 $3.43530 $343.53
500 $2.83250 $1416.25
1,000 $2.43065 -
2,500 $2.32247 -
5,000 $2.24519 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1870 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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