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STP34NM60ND

STP34NM60ND

STP34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

STP34NM60ND Technisches Datenblatt

compliant

STP34NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.18000 $10.18
50 $8.34360 $417.18
100 $7.52950 $752.95
500 $6.30850 $3154.25
1,000 $5.49450 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2785 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

MCB85N06Y-TP
IXFK220N15P
IXFK220N15P
$0 $/Stück
NTMS4801NR2G
NTMS4801NR2G
$0 $/Stück
SQ4005EY-T1_BE3
SIHP35N60EF-GE3
IRF7469TRPBF
RFD10N05SM
RFD10N05SM
$0 $/Stück
DMP2110UW-7

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