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STP5N60M2

STP5N60M2

STP5N60M2

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220

STP5N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STP5N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
50 $1.54360 $77.18
100 $1.39920 $139.92
500 $1.11038 $555.19
1,000 $0.93713 -
2,500 $0.87938 -
5,000 $0.85050 -
63 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 165 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIRS700DP-T1-RE3
FDMC86324
FDMC86324
$0 $/Stück
DMP6110SFDFQ-7
FQA30N40
FQA30N40
$0 $/Stück
IXTQ460P2
IXTQ460P2
$0 $/Stück
IRFW740BTM
EPC2024
EPC2024
$0 $/Stück
SQ4435EY-T1_GE3
STD134N4F7AG
IXFT400N075T2
IXFT400N075T2
$0 $/Stück

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