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STP60N043DM9

STP60N043DM9

STP60N043DM9

N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5

nicht konform

STP60N043DM9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.58000 $12.58
500 $12.4542 $6227.1
1000 $12.3284 $12328.4
1500 $12.2026 $18303.9
2000 $12.0768 $24153.6
2500 $11.951 $29877.5
225 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 43mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4675 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 245W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF4104SPBF
SIR4608LDP-T1-GE3
NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
$0 $/Stück
SQ4850EY-T1_GE3
IXFP220N06T3
IXFP220N06T3
$0 $/Stück
PSMN4R0-40YS,115
DMN2004WK-7
CSD16321Q5T
CSD16321Q5T
$0 $/Stück

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