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STP80N6F6

STP80N6F6

STP80N6F6

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

STP80N6F6 Technisches Datenblatt

compliant

STP80N6F6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.90000 $1.9
50 $1.53700 $76.85
100 $1.35600 $135.6
500 $1.07160 $535.8
642 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7480 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN4800LSSL-13
FDB8860
FDB8860
$0 $/Stück
IRFR120PBF
IRFR120PBF
$0 $/Stück
IXTH75N10L2
IXTH75N10L2
$0 $/Stück
IXTP36P15P
IXTP36P15P
$0 $/Stück
PSMN011-60MLX

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