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STS9D8NH3LL

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MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC

STS9D8NH3LL Technisches Datenblatt

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STS9D8NH3LL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A, 9A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 857pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

ECH8601M-TL-H-P
ECH8601M-TL-H-P
$0 $/Stück
PHK31NQ03LT
PHK31NQ03LT
$0 $/Stück
BSL214NL6327
IRF7756TR
PMWD19UN,518
PMWD19UN,518
$0 $/Stück
IPI60R380C6
SI4539ADY-T1-GE3

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