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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 5.7mOhm @ 7.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±16V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1810 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
| Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
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