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STU2NK100Z

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MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK

STU2NK100Z Technisches Datenblatt

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STU2NK100Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.48203 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 499 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SI2316DS-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3
STW70N65DM6-4
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/Stück
2N7002NXAKR
2N7002NXAKR
$0 $/Stück
APT60M60JLL
SI4116DY-T1-E3
DMN67D8LW-13
SI3493DDV-T1-GE3

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