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STW11NM80

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MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3

STW11NM80 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW11NM80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.41000 $7.41
30 $6.16133 $184.8399
120 $5.60700 $672.84
510 $4.77541 $2435.4591
1,020 $4.22100 -
2,520 $4.08240 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1630 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IPB65R380C6
IRFIZ48GPBF
IRFIZ48GPBF
$0 $/Stück
C2M0045170D
C2M0045170D
$0 $/Stück
HUF76009P3
FQPF7P20
FQPF7P20
$0 $/Stück
PSMN6R0-30YLB,115

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