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STW24N60DM2

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STW24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

STW24N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW24N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.70000 $5.7
30 $4.57867 $137.3601
120 $4.17175 $500.61
510 $3.37810 $1722.831
1,020 $2.84900 -
2,520 $2.70655 -
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1055 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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