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STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 48A TO247

compliant

STW58N65DM2AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.83000 $11.83
30 $9.69667 $290.9001
120 $8.75050 $1050.06
510 $7.33151 $3739.0701
1,020 $6.38550 -
41 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STD6N80K5
STD6N80K5
$0 $/Stück
CPH3341-TL-E
CPH3341-TL-E
$0 $/Stück
PSMN1R2-25YLDX
SIHA6N65E-GE3
STP170N8F7
STP170N8F7
$0 $/Stück
VN0104N3-G
SIR688DP-T1-GE3
STL70N4LLF5

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