Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STW65N60DM6

STW65N60DM6

STW65N60DM6

MOSFET N-CH 600V 38A TO247

STW65N60DM6 Technisches Datenblatt

compliant

STW65N60DM6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.67000 $8.67
10 $7.86200 $78.62
100 $6.56380 $656.38
600 $5.59025 $3354.15
1,200 $4.94125 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RM150N30LT2
RM150N30LT2
$0 $/Stück
HUFA76439P3
FDPF3N50NZ
FDPF3N50NZ
$0 $/Stück
2SJ654
2SJ654
$0 $/Stück
FDS5672
FDS5672
$0 $/Stück
NTMFS4851NT1G
NTMFS4851NT1G
$0 $/Stück
RM40N40LD
RM40N40LD
$0 $/Stück
PSMN2R6-30YLC,115

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.