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STW65N80K5

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STW65N80K5

MOSFET N-CH 800V 46A TO247

STW65N80K5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW65N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $15.66000 $15.66
30 $13.35000 $400.5
120 $12.36000 $1483.2
510 $10.71000 $5462.1
1,020 $9.91800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3230 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 446W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

TN0702N3-G
DMN62D1LFB-7B
RM12N100LD
RM12N100LD
$0 $/Stück
2N7002H-7
2N7002H-7
$0 $/Stück
BUK9614-55A,118
IXTA34N65X2-TRL
IXTA34N65X2-TRL
$0 $/Stück

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