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STW70N65M2

STW70N65M2

STW70N65M2

MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3

STW70N65M2 Technisches Datenblatt

compliant

STW70N65M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
600 $9.01175 $5407.05
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 31.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5140 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 446W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STB32NM50N
STB32NM50N
$0 $/Stück
STW30N65M5
STW30N65M5
$0 $/Stück
IRFBE30STRLPBF
BUZ31HXKSA1
DMN2029UVT-7
NTJS4405NT4G
NTJS4405NT4G
$0 $/Stück
STP55NF06
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$0 $/Stück
IRFR210PBF-BE3
DMN6040SFDEQ-7

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