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STWA63N65DM2

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MOSFET N-CH 650V 60A TO247

compliant

STWA63N65DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.21703 $10.21703
500 $10.1148597 $5057.42985
1000 $10.0126894 $10012.6894
1500 $9.9105191 $14865.77865
2000 $9.8083488 $19616.6976
2500 $9.7061785 $24265.44625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 446W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFH9310TRPBF
BUK7E4R3-75C,127
BUK7E4R3-75C,127
$0 $/Stück
MTP20N06V
MTP20N06V
$0 $/Stück
ZXMN3A14FTA
RDD050N20TL
SIHK075N60EF-T1GE3
APT50M75JLL

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