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TSM05N03CW RPG

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MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223

nicht konform

TSM05N03CW RPG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.14182 -
5,000 $0.13268 -
12,500 $0.12810 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 555 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

BUK954R4-80E,127
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$0 $/Stück
BUK7506-75B,127
BUK7506-75B,127
$0 $/Stück
PMV130ENEAR
PMV130ENEAR
$0 $/Stück
SI2303CDS-T1-E3
FDD6035AL
FDD4243-F085
FDD4243-F085
$0 $/Stück
DMP4065S-13

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