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TSM110NB04CR RLG

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MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN

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TSM110NB04CR RLG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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5,000 $0.26320 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 54A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1443 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SFT1440-E
SFT1440-E
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FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC
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DMTH43M8LK3-13
STL110N10F7
SI4386DY-T1-GE3
IXTP450P2
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SIRA88BDP-T1-GE3
RFP6P10
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