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CSD16325Q5

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MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON

CSD16325Q5 Technisches Datenblatt

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CSD16325Q5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.89040 -
1585 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 8V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 8V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (max) +10V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 12.5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI3458BDV-T1-BE3
NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06LT4G-VF01
$0 $/Stück
CSD13380F3
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$0 $/Stück
IXFR4N100Q
IXFR4N100Q
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FQB33N10TM
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BSH205,215
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