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CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

CSD17313Q2T Technisches Datenblatt

compliant

CSD17313Q2T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.26000 $1.26
500 $1.2474 $623.7
1000 $1.2348 $1234.8
1500 $1.2222 $1833.3
2000 $1.2096 $2419.2
2500 $1.197 $2992.5
15575 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 8V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) +10V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 340 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WSON (2x2)
Paket / Koffer 6-WDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

SIHP24N80AEF-GE3
IXFP60N25X3M
IXFP60N25X3M
$0 $/Stück
DMP2045UQ-13
FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N
$0 $/Stück
HUF76429D3
SQJ486EP-T1_BE3
SUD50N03-06AP-E3
IRFR9310PBF
IRFR9310PBF
$0 $/Stück

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