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CSD17318Q2

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MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON

CSD17318Q2 Technisches Datenblatt

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CSD17318Q2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17360 -
6,000 $0.16240 -
15,000 $0.15680 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 8V
rds ein (max) @ id, vgs 15.1mOhm @ 8A, 8V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 879 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 16W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WSON (2x2)
Paket / Koffer 6-WDFN Exposed Pad
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C430NWFAFT3G
NVMFS5C430NWFAFT3G
$0 $/Stück
STW56N60DM2
APT38F50J
SIR870DP-T1-GE3
RM7N40S4
RM7N40S4
$0 $/Stück
NTD40N03RT4
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$0 $/Stück
STD1028T4
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$0 $/Stück
NTD4813NT4G
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