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CSD18511KTT

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MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

CSD18511KTT Technisches Datenblatt

compliant

CSD18511KTT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $0.96662 $483.31
1,000 $0.80550 -
2,500 $0.77865 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 194A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5940 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DDPAK/TO-263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/Stück
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/Stück
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/Stück
DMP2305U-7
DMN2022UFDF-13
PSMN5R8-40YS,115

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