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CSD19532KTTT

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MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

nicht konform

CSD19532KTTT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.99000 $2.99
500 $2.9601 $1480.05
1000 $2.9302 $2930.2
1500 $2.9003 $4350.45
2000 $2.8704 $5740.8
2500 $2.8405 $7101.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5060 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DDPAK/TO-263-3
Paket / Koffer TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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