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CSD86360Q5D

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MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

CSD86360Q5D Technisches Datenblatt

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CSD86360Q5D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.17585 -
5,000 $1.13230 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060pF @ 12.5
Leistung - max. 13W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerLDFN
Lieferantengerätepaket 8-LSON (5x6)
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Zugehörige Teilenummer

SQ3985EV-T1_BE3
FDS3890
FDS3890
$0 $/Stück
SI1926DL-T1-BE3
MIC5015BMTR
SQJ202EP-T2_GE3
CSD86336Q3D
CSD86336Q3D
$0 $/Stück
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MCH3307-TL-E-SY
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$0 $/Stück

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