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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 15 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.3A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.7V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 11.25 nC @ 10 V |
vgs (max) | +2V, -15V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 791mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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