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TPS1101D

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MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

TPS1101D Technisches Datenblatt

nicht konform

TPS1101D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.56000 $2.56
10 $2.31000 $23.1
75 $2.06253 $154.68975
150 $1.85627 $278.4405
525 $1.44375 $757.96875
1,050 $1.19625 -
2,550 $1.15500 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 15 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.25 nC @ 10 V
vgs (max) +2V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 791mW (Ta)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SUD08P06-155L-BE3
IRFI9Z34GPBF
IRFI9Z34GPBF
$0 $/Stück
FDMS3006SDC
FDMS3006SDC
$0 $/Stück
IRFPC60PBF
IRFPC60PBF
$0 $/Stück
STH320N4F6-6
FQPF6N70
PSMN6R0-25YLD115
PSMN6R0-25YLD115
$0 $/Stück
NTMFS4C06NBT1G
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$0 $/Stück

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