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TPS1101DR

TPS1101DR

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MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

TPS1101DR Technisches Datenblatt

compliant

TPS1101DR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.97020 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 15 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.25 nC @ 10 V
vgs (max) +2V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 791mW (Ta)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IXTH24P20
IXTH24P20
$0 $/Stück
BUK962R8-30B,118
PSMN6R0-30YLDX
SI4124DY-T1-GE3
IXTQ140N10P
IXTQ140N10P
$0 $/Stück
SI4850BDY-T1-GE3
IRF2903ZPBF
NTP6N60
NTP6N60
$0 $/Stück
SI3443CDV-T1-BE3
FDP6676S

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