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TPS1120DR

TPS1120DR

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MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

TPS1120DR Technisches Datenblatt

compliant

TPS1120DR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.90580 -
1749 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 15V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.17A
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.45nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 840mW
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI4210DY-T1-GE3
QH8KB6TCR
QH8KB6TCR
$0 $/Stück
FDC6318P
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$0 $/Stück
CAR600M12HN6
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$0 $/Stück
ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
$0 $/Stück
PMV55ENEA,215
EFC4626R-TR
EFC4626R-TR
$0 $/Stück
NDS8934

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