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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 133mOhm @ 1A, 4V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 1.9 nC @ 4 V |
| vgs (max) | ±12V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 123 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UFV |
| Paket / Koffer | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
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