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TK100A10N1,S4X

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MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS

nicht konform

TK100A10N1,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.01000 $4.01
50 $3.21980 $160.99
100 $2.93360 $293.36
500 $2.37546 $1187.73
1,000 $2.00340 -
9 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8800 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDP65N06
FDP65N06
$0 $/Stück
IXTP60N10T
IXTP60N10T
$0 $/Stück
APT6013LLLG
STL9P3LLH6
STL9P3LLH6
$0 $/Stück
DMPH4023SK3-13
SI7326DN-T1-GE3
IRFU430BTU
IRFP3077PBF

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