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TK12A60D(STA4,Q,M)

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MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

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TK12A60D(STA4,Q,M) Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.36640 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

C3M0350120J
C3M0350120J
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NTTFS4C10NTAG
NTTFS4C10NTAG
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5HP01M-TL-H
5HP01M-TL-H
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G110N06K
G110N06K
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C3M0120065K
C3M0120065K
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ZXMP4A16GQTA

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