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TK16E60W,S1VX

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MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220

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TK16E60W,S1VX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.92000 $3.92
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 790µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQD97N06-6M3L_GE3
RM2302
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$0 $/Stück
BSS123L
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$0 $/Stück
FQPF6N40CF
NTTFS3A08PZTWG
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$0 $/Stück
NTD32N06-1G
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$0 $/Stück
2N7002HWX
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$0 $/Stück
IXFK64N50Q3
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STB11NM80T4
STF20NF20
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