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TK31A60W,S4VX

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MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS

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TK31A60W,S4VX Preise und Bestellung

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50 $6.12960 $306.48
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

CSD17311Q5
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MMBF4091
NTMFS4C08NT1G-001
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$0 $/Stück
IRFPC50APBF
IRFPC50APBF
$0 $/Stück
PSMN1R0-40YLDX
SIA106DJ-T1-GE3
FDD86102LZ
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DMN6066SSS-13

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