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TPH4R50ANH,L1Q

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MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV

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TPH4R50ANH,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDS8447
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RM70P30DF
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SIHB30N60ET1-GE3
STP20NK50Z
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2SJ652-RA11
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IXFH88N30P
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PSMN1R6-30MLHX
SUD25N15-52-BE3

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