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TPH7R006PL,L1Q

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MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

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TPH7R006PL,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.48300 -
4714 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1875 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 81W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTA3N50D2
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IXTH240N15X4
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STB7N52K3
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