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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 40A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 6.7mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 300µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 35 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2000 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 840mW (Ta), 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Paket / Koffer | 8-PowerVDFN |
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