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HCT802

HCT802

HCT802

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

HCT802 Technisches Datenblatt

nicht konform

HCT802 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
100 $31.75500 $3175.5
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A, 1.1A
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 70pF @ 25V
Leistung - max. 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-SMD
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Zugehörige Teilenummer

IRF7341QTRPBF
DMN5L06VA-7
IRF7379PBF
IPB080N03LG
NDS9942
NDS9942
$0 $/Stück
SI4562DY-T1-E3
SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI4814BDY-T1-E3
NDS8961

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