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UF3C065030B3

UF3C065030B3

UF3C065030B3

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

nicht konform

UF3C065030B3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $19.94000 $19.94
500 $19.7406 $9870.3
1000 $19.5412 $19541.2
1500 $19.3418 $29012.7
2000 $19.1424 $38284.8
2500 $18.943 $47357.5
2419 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 12V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 242W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/Stück
SI7460DP-T1-GE3
DMN3069L-13
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3
RD3P175SNTL1
RRH090P03GZETB

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