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SE10FJHM3/I

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DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

SE10FJHM3/I Technisches Datenblatt

nicht konform

SE10FJHM3/I Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.05 V @ 1 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 780 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 7.5pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-219AB
Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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