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2N6661-2

2N6661-2

2N6661-2

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

2N6661-2 Technisches Datenblatt

compliant

2N6661-2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 860mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

IRFR214TRL
IRFR214TRL
$0 $/Stück
NTMFS4851NT3G
NTMFS4851NT3G
$0 $/Stück
SI1051X-T1-GE3
SPI08N50C3
SI4636DY-T1-E3
SPD07N20
FDMS9409-F085
FDMS9409-F085
$0 $/Stück
AUIRLS4030
IRF8308MTRPBF

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