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IRF610PBF

IRF610PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

IRF610PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF610PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.84000 $0.84
50 $0.65520 $32.76
100 $0.57320 $57.32
500 $0.42942 $214.71
1,000 $0.34726 -
2,500 $0.31646 -
5,000 $0.29592 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMP1011UCB9-7
BSS84KW-TP
PSMN8R5-40MLDX
IXFN110N60P3
IXFN110N60P3
$0 $/Stück
NTMFS4C10NT1G-001
NTMFS4C10NT1G-001
$0 $/Stück
IXTX5N250
IXTX5N250
$0 $/Stück
SI1411DH-T1-GE3
IXFA24N60X
IXFA24N60X
$0 $/Stück
BUK7Y7R6-40EX

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