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IRF610PBF-BE3

IRF610PBF-BE3

IRF610PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

compliant

IRF610PBF-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.98000 $0.98
500 $0.9702 $485.1
1000 $0.9604 $960.4
1500 $0.9506 $1425.9
2000 $0.9408 $1881.6
2500 $0.931 $2327.5
920 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DI045N03PT-AQ
SCH1435-TL-W
SCH1435-TL-W
$0 $/Stück
GT52N10T
GT52N10T
$0 $/Stück
NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG
$0 $/Stück
BUK7Y53-100B,115
NTMFS4839NT1G
NTMFS4839NT1G
$0 $/Stück
FDMC8622
FDMC8622
$0 $/Stück

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