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GT52N10T

GT52N10T

GT52N10T

N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M

GT52N10T Technisches Datenblatt

nicht konform

GT52N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
38 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2626 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG
$0 $/Stück
BUK7Y53-100B,115
NTMFS4839NT1G
NTMFS4839NT1G
$0 $/Stück
FDMC8622
FDMC8622
$0 $/Stück
BUK763R9-60E,118
PMV20ENR
PMV20ENR
$0 $/Stück
STL100N10F7

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