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IRF610SPBF

IRF610SPBF

IRF610SPBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

IRF610SPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF610SPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.91000 $1.91
10 $1.72200 $17.22
100 $1.38350 $138.35
500 $1.07608 $538.04
1,000 $0.89161 -
3,000 $0.83012 -
5,000 $0.79937 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 140 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIR186DP-T1-RE3
IXFP38N30X3
IXFP38N30X3
$0 $/Stück
IRFU120PBF
IRFU120PBF
$0 $/Stück
IRL620PBF-BE3
STH272N6F7-6AG
FDS6685
STP13N60DM2
IRFH3702TRPBF

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