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IRF624PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB

IRF624PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF624PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.98000 $1.98
10 $1.78600 $17.86
100 $1.43550 $143.55
500 $1.11650 $558.25
1,000 $0.92510 -
3,000 $0.86130 -
5,000 $0.82940 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

MSC015SMA070B
STWA20N95DK5
IXTP64N10L2
IXTP64N10L2
$0 $/Stück
STB6NK60Z-1
NTMYS7D3N04CLTWG
NTMYS7D3N04CLTWG
$0 $/Stück
CPH6311-TL-E
CPH6311-TL-E
$0 $/Stück

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