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IRF640PBF

IRF640PBF

IRF640PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

SOT-23

IRF640PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF640PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.77000 $1.77
10 $1.60800 $16.08
100 $1.30200 $130.2
500 $1.02384 $511.92
1,000 $0.85699 -
2,500 $0.80138 -
5,000 $0.77357 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK7Y153-100EX
SQJ446EP-T1_BE3
RW1A020ZPT2R
PHB21N06LT,118
DN3135K1-G
FDMC6675BZ
FDMC6675BZ
$0 $/Stück
IRFR7546TRPBF

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